время жизни основных носителей

См. также в других словарях:

• Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника — 34. Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Объемное время жизни Среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей зарядов в объеме полупроводника Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника — 35. Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Поверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности Источник: ГОСТ… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника — 36. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Эффективное время жизни Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… …   Физическая энциклопедия

• Полупроводники —         широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …   Большая советская энциклопедия

• p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …   Физическая энциклопедия

• Монокристаллический кремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в виде… …   Википедия

• Мультикремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в виде… …   Википедия

• ВАСИЛИЙ ВЕЛИКИЙ — [греч. Βασίλειος ὁ Μέγας] (329/30, г. Кесария Каппадокийская (совр. Кайсери, Турция) или г. Неокесария Понтийская (совр. Никсар, Турция) 1.01.379, г. Кесария Каппадокийская), свт. (пам. 1 янв., 30 янв. в Соборе 3 вселенских учителей и святителей; …   Православная энциклопедия

• ЖИЗНЬ — особое качественное состояние мира, возможно, необходимая ступень в развитии Вселенной. Естественно научный подход к сущности Ж. сосредоточен на проблеме ее происхождения, ее материальных носителей, на отличии живого от неживого, на эволюции… …   Философская энциклопедия